核心提示：电工是不是低学历赚钱好项目？？一个成熟维修工工资是多少？自己创业行不行？要学会哪些知识？？要多长时间训练出来？？要投资多大？？是否物有所值？？？
电工考证模块（2025版）
行业前景：各大型企业、公司、行政事业单位从事电工及维修技术工作。学员学成之后也可自己开电动机维修店，但工资不高，学校可以长期提供技术支持。
招生对象： 初中生、高中生、大学生、社会待业求职者、电工爱好者。
教学目标：培养中高级维修电工、操作电工技术人员。成为真正意义上的电工及维修高手。
教学方法：半天理论，半天实践，采用我校独特的“模块教学法”教学。每天上午8：30—11：30理论课，下午2：00—5：00实操课。 深入浅出，通俗易懂，从零开始，手把手教，包教包会，打造电工技术教学新神话,使学生成为真正意义上的能动手的电工。
考试内容： 电工电路基础、机电控制电路、电度表等各种有功功率表的匹配与安装、单相、三相电动机绕线与检修；传授电工考证用电气安全知识、发电机原理、电力拖动、电力变压器的结构及应用知识 。
开班时间：2025年每月８号、１８号、２８号开新班，可随到随学。
质量保证：没拿到国家证书不收费用。 学校免费提供床上用品，免费住宿。
就业方向：各大型企业、公司、行政事业单位从事电工及维修技术工作。学员学成之后也可自己开电动机维修店，学校长期提供技术支持。
颁发证书：中华人民共和国中高级《职业资格证》、《电工特种行业操作证》。
电工主要在建筑公司，工厂，矿山，造船厂等大型实体里工作。
其工作职责包括：安装，替换及修复电线、电容器、转换开关、集合电缆、照明设施、其他供电元器件等。测试供电设施的电流强度、电压、抗阻。对下列设备（变压器，配电盘，调压器，电机，工业蓄电池，水电控制系统）进行日常的维护、修复、安装及测试。
从业要求：求职者至少具有初中文化教育背景。但目前多数年轻求职人员拥有专业资格上岗证书或IC卡电工执照。为了获得专业资格上岗证书，求职者必须受过正规的专业培训，或者具备5年以上的工作经验并且拥有职业中学或大专院校的文凭。从事矿山电工工作的人员在获得专业资格上岗证书之前还需接受矿山电工培训课程。我国对专业资格上岗证书要求很严，无此证书则严禁上岗作业。
行业类型：建筑行业(20.9%) 机动车制造行业(7.2%) 造纸行业(6.3%) 金属采矿(4.8%) 造铁金属行业(4.4%) 电力行业(3.1%) 铁路运输行业(3.0%)
就业前景：虽然电工的年均收入比较高，但从业人员却不太多，难以满足用人单位的需求。尤其是电工动手能力要求比较高，全日制大中专院校无法培养，预计在今后的5年里，这种状况将会继续延持下去。所以众多企业来我校招聘，欢迎广大有志青年加入到高级电工行业,施展才华.
学历不高同样能有自己的一片天 “学历高就一定好吗？低学历就很难找到好工作吗？其实，学历高低与职场前途并不存在正相关关系，除了学历，经验和技能也是职场发展的重要筹码”。 学历不高其实也能成功就业，关键要做好九件事情：一是态度决定一切；二是找准自己的用武之地；三是用行动创造职场机遇；四是懂礼仪，注重细节；五是善于沟通，拓展职场空间；六是要提高工作效率，练就职场中的轻功；七是善用自己的人脉资源；八是要做好职业规划；九是养成终身学习的习惯。
电工模块
招生对象： 初中生、高中生、大学生、社会待业求职者、电工爱好者。
教学目标：培养中高级维修电工、操作电工技术人员。成为真正意义上的电工及维修高手。
教学方法：半天理论，半天实践，采用我校独特的“模块教学法”教学。每天上午8：30—11：30理论课，下午2：00—5：00实操课。 深入浅出，通俗易懂，从零开始，手把手教，包教包会，打造电工技术教学新神话,使学生成为真正意义上的能动手的电工。
教学内容： 电工电路基础、机电控制电路、电度表等各种有功功率表的匹配与安装、单相、三相电动机绕线与检修；传授电工考证用电气安全知识、发电机原理、电力拖动、电力变压器的结构及应用知识 。
开课时间：每月8号、18号、28号开学，特殊情况也可随到随学。学校采取循环式教学，一期未学会，可免费再学，直到学会为止。对于推迟来学校报到的学生，学校采取晚上或星期天补课的方式使学生学懂、学会为止。
就业方向：各大型企业、公司、行政事业单位从事电工及维修技术工作。学员学成之后也可自己开电动机维修店，学校长期提供技术支持。
颁发证书：中华人民共和国中高级《职业资格证》、《电工特种行业操作证》。
高级电工班加学变频器原理与中央空调技术
变频器基础之一：
绝缘栅双极晶体管（IGBT）
一、IGBT的工作原理
电力MOSFET器件是单极型（N沟道MOSFET中仅电子导电、P沟道MOSFET中仅空穴导电）、电压控制型开关器件；因此其通、断驱动控制功率很小，开关速度快；但通态降压大，难于制成高压大电流开关器件。电力三极晶体管是双极型（其中，电子、空穴两种多数载流子都参与导电）、电流控制型开关器件；因此其通-断控制驱动功率大，开关速度不够快；但通态压降低，可制成较高电压和较大电流的开关器件。为了兼有这两种器件的优点，弃其缺点，20世纪80年代中期出现了将它们的通、断机制相结合的新一代半导体电力开关器件——绝缘栅极双极型晶体管（insulated gate bipolar transistor，IGBT）。它是一种复合器件，其输入控制部分为MOSFET，输出级为双级结型三极晶体管；因此兼有MOSFET和电力晶体管的优点，即高输入阻抗，电压控制，驱动功率小，开关速度快，工作频率可达到10~40kHz（比电力三极管高），饱和压降低（比MOSFET 小得多，与电力三极管相当），电压、电流容量较大，安全工作区域宽。目前2500~3000V、800~1800A的IGBT器件已有产品，可供几千kVA以下的高频电力电子装置选用。
图1为IGBT的符号、内部结构等值电路及静态特性。IGBT也有3个电极：栅极G、发射极E和集电极C。输入部分是一个MOSFET管，图1中Rdr表示MOSFET的等效调制电阻（即漏极-源极之间的等效电阻RDS）。输出部分为一个PNP三极管T1，此外还有一个内部寄生的三极管T2（NPN管），在NPN晶体管T2的基极与发射极之间有一个体区电阻Rbr。
当栅极G与发射极E之间的外加电压UGE=0时，MOSFET管内无导电沟道，其调制电阻Rdr可视为无穷大，Ic=0，MOSFET处于断态。在栅极G与发射极E之间的外加控制电压UGE，可以改变MOSFET管导电沟道的宽度，从而改变调制电阻Rdr，这就改变了输出晶体管T1（PNP管）的基极电流，控制了IGBT管的集电极电流Ic。当UGE足够大时（例如15V），则T1饱和导电，IGBT进入通态。一旦撤除UGE，即UGE=0，则MOSFET从通态转入断态，T1截止，IGBT器件从通态转入断态。
二、IGBT的基本特性
1、 静态特性
（1） 输出特性：是UGE一定时集电极电流Ic与集电极-发射极电压UCE的函数关系，即Ic=f（UCE）。
图1示出IGBT的输出特性。UGE=0的曲线对应于IGBT处于断态。在线性导电区I，UCE增大，Ic增大。在恒流饱和区Ⅱ，对于一定的UGE，UCE增大，IC不再随UCE而增大。{{分页}}
在UCE为负值的反压下，其特性曲线类似于三极管的反向阻断特性。
为了使IGBT安全运行，它承受的外加压、反向电压应小于图1（c）中的正、反向折转击穿电压。
（2） 转移特性：是图1（d）所示的集电极电流Ic与栅极电压UGE的函数关系，即Ic=f(UGE)。
当UGE小于开启阈值电压UGE th时，等效MOSFET中不能形成导电沟道；因此IGBT处于断态。当UGE>UGE th后，随着UGE的增大，Ic显著上升。实际运行中，外加电压UGE的最大值UGEM一般不超过15V，以限制Ic 不超过IGBT管的允许值ICM。IGBT在额定电流时的通态压降一般为1.5~3V。其通态压降常在其电流较大（接近额定值）时具有正的温度系数（Ic增大时，管压降大）；因此在几个IGBT并联使用时IGBT器件具有电流自动调节均流的能力，这就使多个IGBT易于并联使用。
2、 动态特性
图2示出了IGBT的开通和关断过程。开通过程的特性类似于MOSFET；因为在这个区间，IGBT大部分时间作为MOSFET运行。开通时间由4个部分组成。开通延迟时间td是外施栅极脉冲从负到正跳变开始，到栅-射电压充电到UGE th的时间。这以后集电极电流从0开始上升，到90%稳态值的时间为电流上升时间tri。在这两个时间内，集-射极间电压UCE基本不变。此后，UCE开始下降。下降时间tfu1是MOSFET工作时漏-源电压下降时间tfu2是MOSFET和PNP晶体管同时工作时漏-源电压下降时间；因此，IGBT开通时间为 ton=td+tr+tfu1+tfu2。
开通过程中，在td、tr时间内，栅-射极间电容在外施正电压作用下充电，且按指数规律上升，在tfu1、tfu2这一时间段内MOSFET开通，流过对GTR的驱动电流，栅-射极电压基本维持IGBT完全导通后驱动过程结束。栅-射极电压再次按指数规律上升到外施栅极电压值。
IGBT关断时，在外施栅极反向电压作用下，MOSFET输入电容放电，内部PNP晶体管仍然导通，在最初阶段里，关断的延迟时间td和电压UCE的上升时间tr，由IGBT中的MOSFET决定。关断时IGBT和MOSFET的主要差别是电流波形分为tfi1和tfi2两部分，其中，tfi1由MOSFET决定，对应于MOSFET的关断过程；tfi2由PNP晶体管中存储电荷所决定。因为在tfi1末尾MOSFET已关断，IGBT又无反向电压，体内的存储电荷难以被迅速消除；所以漏极电流有较长的下降时间。因为此时漏源电压已建立，过长的下降时间会产生较大的功耗，使结温增高；所以希望下降时间越短越好。
3、 擎住效应
由图1(b)电路可以看到IGBT内部的寄生三极管T2与输出三极管T1等效于一个晶闸管。内部体区电阻Rbr上的电压降为一个正向偏压加在寄生三极管T2的基极和发射极之间。当IGBT处于截止状态和处于正常稳定通态时（ic不超过允许值时），Rbr上的压降都很小，不足以产生T2的基极电流，T2不起作用。但如果ic瞬时过大，Rbr上压降过大，则可能使T2导通，而一旦T2导通，即使撤除门极电压UGE，IGBT仍然会像晶闸管一样处于通态，使门极G失去控制作用，这种现象称为擎住效应。在IGBT的设计制造时已尽可能地降低体区电阻Rbr，使IGBT的集电极电流在最大允许值ICM时，Rbr上的压降仍小于T2管的起始导电所必需的正偏压。但在实际工作中ic一旦过大，则可能出现擎住效应。如果外电路不能限制ic的增长，则可能损坏器件。{{分页}}
除过大的ic可能产生擎住效应外，当IGBT处于截止状态时，如果集电极电源电压过高，使T1管漏电流过大，也可能在Rbr上产生过高的压降，使T2导通而出现擎住效应。
可能出现擎住效应的第三个情况是：在关断过程中，MOSFET的关断十分迅速，MOSFET关断后图1(b)中三极管T2的J2结反偏电压UBA增大，MOSFET关断得越快，集电极电流ic减小得越快，则UCA=Es-R
